NANORUGO

Acronyme: 
NANORUGO
Axe stratégique: 
Fibres et matériaux durables : améliorer la performance
Type de financement: 
ANR
Date de labellisation: 
01/08/2005
Descriptif: 

Les feuilles de route de l’industrie des semi-conducteurs (ITRS), qui définissent les caractéristiques et les objectifs à atteindre pour les composants de prochaine génération pour l'industrie microélectronique, ont présenté pour la première fois en 2001 un nouveau critère: «la rugosité de ligne (LER) » pour le procédé de photolithographie. Ce critère traduit les spécifications en terme de rugosité des motifs obtenus lors de l’étape de photolithographie pour la fabrication des microcomposants électroniques. Les meilleures résines de photolithographie permettent aujourd'hui (2005) une LER de l'ordre de 5 à 7 nanomètre, sachant qu’une rugosité supérieure à 8 nm pour un réseau de traits de 90 nm de large entraîne des défauts de fonctionnement des micro-processeurs. Le but de ce projet est de comprendre les mécanismes physico-chimiques induisant la LER. Puis, il s’agira d'optimiser la synthèse et la formulation des résines photosensibles afin d'atteindre des valeurs acceptables de LER pour la prochaine génération de microcomposants. Ce projet a présenté un caractère multidisciplinaire fort. Grâce à l'association et la complémentarités entre les équipes de STMicroelectronics, de RohmHaas Electronic Materials, du CEA-LETI, du DPG à Mulhouse et du LIPHT à Strasbourg, le projet a consisté en: - la synthèse de nouvelles résines de polymère et de leur formulation avec les additifs fonctionnels - le développement de méthode de caractérisation de la LER par microscopie à force atomique 3D - la compréhension de la corrélation entre structure moléculaire des résine et LER - et enfin l'optimisation de l'étape de photolithographie pour obtenir une LER la plus faible possible.